TSMC, el mayor fabricante de chips del mundo, está considerando incursionar en el sector de la memoria mediante la fabricación de tecnologías DRAM avanzadas. Según un reporte de The Information, la compañía está evaluando el inicio de la producción de DRAM 3D.
Actualmente, existe una necesidad crítica de aumentar la producción de DRAM por parte de los tres grandes fabricantes actuales: SK Hynix, Samsung y Micron. Aunque se está desarrollando nueva capacidad de fabricación, persiste el riesgo de un desequilibrio en el suministro. De acuerdo con las fuentes citadas, la posible incursión de TSMC en la tecnología DRAM 3D se realizaría a petición de su cliente más importante, NVIDIA.
El camino hacia la escalabilidad de la memoria
La producción convencional de DRAM está dominada por los tres fabricantes mencionados, quienes planean avanzar hacia la producción de DRAM 3D para superar las capacidades actuales de la tecnología HBM. El enfoque 3D se presenta como la única vía efectiva para escalar la memoria de manera eficiente.
En este contexto, Micron confirmó recientemente su decisión de no comercializar la tecnología DRAM 4F², a pesar de haber investigado este diseño de celda durante aproximadamente dos décadas. En su lugar, la empresa ha optado por centrar sus esfuerzos en el desarrollo de la DRAM 3D. Como uno de los fabricantes de silicio más experimentados a nivel global, TSMC parece estar evaluando seguir este mismo camino tecnológico.