Según informes recientes, Samsung ha reservado la totalidad de la producción planificada para su segunda fábrica en Taylor, Texas. De acuerdo con una exclusiva del diario coreano Maeil Business Newspaper, citando fuentes de la industria, la planta Taylor Fab 2 se dedicará a la fabricación de base dies para memoria de alto ancho de banda (HBM) utilizando un proceso de 2 nm, destinando la mayor parte de su capacidad a AMD, aunque también atenderá a NVIDIA.
Es preciso señalar que estos componentes no corresponden a las unidades de procesamiento central (CPU) o de gráficos (GPU) de AMD. El base die es el chip de lógica situado en la base de una pila de memoria HBM. El plan estratégico de Samsung consiste en combinar estos componentes fabricados en Texas con memorias DRAM producidas en Corea del Sur para exportar productos HBM terminados. Dado que las generaciones actuales de HBM4 y las muestras de HBM4E utilizan procesos de 4 nm, el desarrollo en 2 nm o menores parece estar orientado a las generaciones futuras de esta tecnología.
Este acuerdo se produce tras la visita de la directora ejecutiva de AMD, Lisa Su, a Samsung en el mes de octubre, un encuentro en el que Samsung habría solicitado pedidos de fundición a cambio del suministro de HBM que AMD requiere con urgencia. Previamente, en marzo, un memorando de entendimiento (MOU) ya había designado a Samsung como el proveedor principal de HBM4 para la serie Instinct MI455X.
Samsung ha declinado realizar comentarios oficiales, indicando que no puede confirmar detalles relacionados con sus clientes.